Samsung Galaxy S6 dùng bộ nhớ siêu tốc

Nguồn tin từ nội bộ Samsung vừa tiết lộ trên ETNews Hàn Quốc về chiếc smartphone thế hệ mới Galaxy S6, đó là hãng đang chuẩn bị sản xuất bộ nhớ UFS 2.0 NAND Flash với mục tiêu trang bị cho những smartphone cao cấp vào năm 2015.

Samsung Galaxy S6 concept

Dự kiến, tốc độ truyền tải dữ liệu trong bộ nhớ mới có thể lên đến 1.2GB/s, nhanh gấp 3 lần so với bộ nhớ eMMC (400MB/s). Chưa hết, bộ nhớ mới còn có khả năng tiêu thụ điện năng chỉ bằng một nửa của eMMC 5.0, cung cấp băng thông lớn hơn trong các kết nối LTE-A, và không làm nóng pin.

Tiêu chuẩn này được xây dựng dựa trên Hội đồng kỹ thuật thiết bị điện tử (JEDEC) được thành lập bởi Samsung, Nokia và Micron vào năm 2007. Toshiba và Hynix cũng tham gia vào sự phát triển của bộ nhớ UFS 2.0. Samsung dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ lưu trữ NAND flash mới trong vài tuần tới.

Tuy nhiên, Samsung không phải là hãng duy nhất làm điều này, một số thông tin cho rằng hãng Xiaomi của Trung Quốc cũng đang làm việc với bộ nhớ UFS 2.0 NAND. Thậm chí Samsung rất ý thức được những tiến bộ vượt bậc của đối thủ đến từ Trung Quốc. Theo kết quả nghiên cứu của IDC trong quý 3/2014, Xiaomi đang là hãng đứng thứ 3 về thị phần chỉ sau Samsung và Apple.

Bộ nhớ siêu tốc UFS có thể được trang bị trên Galaxy S6

Samsung sẽ dần dần thay thế card SD và micro-SD bằng công nghệ bộ nhớ UFS 2.0 được gắn bên trong smartphone. Nhiều khả năng là điều đó sẽ xảy ra ở Galaxy S6 và Galaxy Note 5.

“UFS là một yếu tố quan trọng đối với hoạt động kinh doanh điện thoại thông minh của chúng tôi trong năm 2015. Chúng tôi sẽ ứng dụng nó cho các sản phẩm smartphone chủ lực”, nguồn tin nội bộ Samsung úp mở. “Tuy nhiên, chúng tôi không thể tiết lộ bất cứ thông tin chi tiết nào, vì chiếc smartphone tiếp theo và các thông số kỹ thuật của nó vẫn đang trong quá trình nghiên cứu và phát triển”.

Nhanh gấp 3 lần bộ nhớ hiện tại